Kaufen Nexperia USA Inc. PMDPB30XN,115 MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON

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Datenblätter

PMDPB30XN,115

MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON

Artikelnummer

PMDPB30XN,115

Hersteller/Marke

Nexperia USA Inc.

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Cut Tape (CT)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

6-UDFN Exposed Pad

Leistung max

490mW

Gerätepaket des Lieferanten

DFN2020-6

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40 mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

21.7nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

660pF @ 10V

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