Kaufen NXP USA Inc. PMDPB38UNE,115 MOSFET 2N-CH 20V 4A HUSON6

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PMDPB38UNE,115

MOSFET 2N-CH 20V 4A HUSON6

Artikelnummer

PMDPB38UNE,115

Hersteller/Marke

NXP USA Inc.

Serie

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

6-UDFN Exposed Pad

Leistung max

510mW

Gerätepaket des Lieferanten

DFN2020-6

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

Rds On (Max) @ Id, Vgs

46 mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

4.4nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

268pF @ 10V

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