Kaufen Nexperia USA Inc. PMZB670UPE,315 MOSFET P-CH 20V 680MA DFN1006B-3

Das Bild kann eine Darstellung sein.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.

Datenblätter

PMZB670UPE,315

MOSFET P-CH 20V 680MA DFN1006B-3

Artikelnummer

PMZB670UPE,315

Hersteller/Marke

Nexperia USA Inc.

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

3-XFDFN

Gerätepaket des Lieferanten

3-DFN1006B (0.6x1)

Verlustleistung (max.)

360mW (Ta), 2.7W (Tc)

FET-Typ

P-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

680mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

850 mOhm @ 400mA, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.3V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

1.14nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

87pF @ 10V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

1.8V, 4.5V

Vgs (Max)

±8V

Angebot anfordern

Bitte füllen Sie alle erforderlichen Felder aus und klicken Sie auf „SENDEN“. Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden per E-Mail kontaktieren. Wenn Sie ein Problem haben, hinterlassen Sie bitte eine Nachricht oder senden Sie eine E-Mail an [email protected], wir werden so schnell wie möglich antworten.

Auf Lager 54806 PCS

Kontaktinformationen

Verwandte Produkte

PMZB1200UPEYL

MOSFET P-CH 30V SOT883