Kaufen Nexperia USA Inc. PMZB1200UPEYL MOSFET P-CH 30V SOT883

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Datenblätter

PMZB1200UPEYL

MOSFET P-CH 30V SOT883

Artikelnummer

PMZB1200UPEYL

Hersteller/Marke

Nexperia USA Inc.

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

3-XFDFN

Gerätepaket des Lieferanten

DFN1006B-3

Verlustleistung (max.)

310mW (Ta), 1.67W (Tc)

FET-Typ

P-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

410mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.4 Ohm @ 410mA, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

950mV @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

1.2nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

43.2pF @ 15V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

1.5V, 4.5V

Vgs (Max)

±8V

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