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PMZB200UNEYL

MOSFET N-CH 30V SOT883

Artikelnummer

PMZB200UNEYL

Hersteller/Marke

Nexperia USA Inc.

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

3-XFDFN

Gerätepaket des Lieferanten

DFN1006B-3

Verlustleistung (max.)

350mW (Ta), 6.25W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

1.4A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

250 mOhm @ 1.4A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

950mV @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

2.7nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

89pF @ 15V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

1.5V, 4.5V

Vgs (Max)

±8V

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