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PMZB600UNEYL
MOSFET N-CH 20V 3QFN
Artikelnummer
PMZB600UNEYL
Hersteller/Marke
Serie
-
Teilestatus
Active
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
3-XFDFN
Gerätepaket des Lieferanten
DFN1006B-3
Verlustleistung (max.)
360mW (Ta), 2.7W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
620 mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
950mV @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
0.7nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
21.3pF @ 10V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
1.2V, 4.5V
Vgs (Max)
±8V
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