Kaufen Nexperia USA Inc. PMZB420UN,315 MOSFET N-CH 30V SGL 3DFN

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Datenblätter

PMZB420UN,315

MOSFET N-CH 30V SGL 3DFN

Artikelnummer

PMZB420UN,315

Hersteller/Marke

Nexperia USA Inc.

Serie

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

3-XFDFN Exposed Pad

Gerätepaket des Lieferanten

3-DFN1006B (0.6x1)

Verlustleistung (max.)

360mW (Ta), 2.7W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

900mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

490 mOhm @ 200mA, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

950mV @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

0.98nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

65pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

1.8V, 4.5V

Vgs (Max)

±8V

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