Kaufen Microsemi Corporation APT6017LLLG MOSFET N-CH 600V 35A TO-264

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APT6017LLLG

MOSFET N-CH 600V 35A TO-264

Artikelnummer

APT6017LLLG

Hersteller/Marke

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 7®

Teilestatus

Active

Verpackung

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Through Hole

Paket/Koffer

TO-264-3, TO-264AA

Gerätepaket des Lieferanten

TO-264 [L]

Verlustleistung (max.)

500W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

600V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

35A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

170 mOhm @ 17.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

100nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

4500pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±30V

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