Kaufen Microsemi Corporation APT6017B2LLG MOSFET N-CH 600V 35A T-MAX

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APT6017B2LLG

MOSFET N-CH 600V 35A T-MAX

Artikelnummer

APT6017B2LLG

Hersteller/Marke

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 7®

Teilestatus

Obsolete

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Through Hole

Paket/Koffer

TO-247-3 Variant

Gerätepaket des Lieferanten

T-MAX™ [B2]

Verlustleistung (max.)

500W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

Drain-Source-Spannung (Vdss)

600V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

35A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

170 mOhm @ 17.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

100nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

4500pF @ 25V

Vgs (Max)

±30V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

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