Kaufen Microsemi Corporation APT10M07JVR MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP

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APT10M07JVR

MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP

Artikelnummer

APT10M07JVR

Hersteller/Marke

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS V®

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Chassis Mount

Paket/Koffer

SOT-227-4, miniBLOC

Gerätepaket des Lieferanten

ISOTOP®

Verlustleistung (max.)

700W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

225A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 5mA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

1050nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

21600pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±30V

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