Kaufen Microsemi Corporation APT1002RBNG MOSFET N-CH 1000V 8A TO247AD

Das Bild kann eine Darstellung sein.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.

APT1002RBNG

MOSFET N-CH 1000V 8A TO247AD

Artikelnummer

APT1002RBNG

Hersteller/Marke

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS IV®

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Through Hole

Paket/Koffer

TO-247-3

Gerätepaket des Lieferanten

TO-247AD

Verlustleistung (max.)

240W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

1000V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

8A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.6 Ohm @ 4A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

105nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

1800pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±30V

Angebot anfordern

Bitte füllen Sie alle erforderlichen Felder aus und klicken Sie auf „SENDEN“. Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden per E-Mail kontaktieren. Wenn Sie ein Problem haben, hinterlassen Sie bitte eine Nachricht oder senden Sie eine E-Mail an [email protected], wir werden so schnell wie möglich antworten.

Auf Lager 16625 PCS

Kontaktinformationen