Kaufen Microsemi Corporation APT1001R1BN MOSFET N-CH 1000V 10.5A TO247AD

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APT1001R1BN

MOSFET N-CH 1000V 10.5A TO247AD

Artikelnummer

APT1001R1BN

Hersteller/Marke

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS IV®

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Through Hole

Paket/Koffer

TO-247-3

Gerätepaket des Lieferanten

TO-247AD

Verlustleistung (max.)

310W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

1000V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

10.5A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.1 Ohm @ 5.25A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

130nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

2950pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±30V

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