Kaufen IXYS IXTX120P20T MOSFET P-CH 200V 120A PLUS247

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IXTX120P20T

MOSFET P-CH 200V 120A PLUS247

Artikelnummer

IXTX120P20T

Hersteller/Marke

IXYS

Serie

TrenchP™

Teilestatus

Active

Verpackung

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

Befestigungsart

Through Hole

Paket/Koffer

TO-247-3

Gerätepaket des Lieferanten

PLUS247™-3

Verlustleistung (max.)

FET-Typ

P-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

200V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

120A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30 mOhm @ 60A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

740nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

73000pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

Vgs (Max)

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