Kaufen IXYS IXTX120N65X2 MOSFET N-CH 650V 120A PLUS247

Das Bild kann eine Darstellung sein.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.

Weitere Informationen anzeigen Datenblätter

IXTX120N65X2

MOSFET N-CH 650V 120A PLUS247

Artikelnummer

IXTX120N65X2

Hersteller/Marke

IXYS

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Through Hole

Paket/Koffer

TO-247-3

Gerätepaket des Lieferanten

PLUS247™-3

Verlustleistung (max.)

1250W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

650V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

120A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24 mOhm @ 60A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 8mA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

240nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

13600pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±30V

Angebot anfordern

Bitte füllen Sie alle erforderlichen Felder aus und klicken Sie auf „SENDEN“. Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden per E-Mail kontaktieren. Wenn Sie ein Problem haben, hinterlassen Sie bitte eine Nachricht oder senden Sie eine E-Mail an [email protected], wir werden so schnell wie möglich antworten.

Auf Lager 16047 PCS

Kontaktinformationen

Verwandte Produkte

IXTX102N65X2

MOSFET N-CH 650V 102A X2 PLUS247