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FDM47-06KC5
MOSFET N-CH 600V 47A I4-PAC-5
Artikelnummer
FDM47-06KC5
Hersteller/Marke
Serie
CoolMOS™, HiPerDyn™
Teilestatus
Active
Verpackung
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Paket/Koffer
i4-Pac™-5
Gerätepaket des Lieferanten
ISOPLUS i4-PAC™
Verlustleistung (max.)
-
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
45 mOhm @ 44A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 3mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
190nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
6800pF @ 100V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
Vgs (Max)
±20V
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