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IRFHM9331TRPBF

MOSFET P-CH 30V 11A 8-PQFN

Artikelnummer

IRFHM9331TRPBF

Hersteller/Marke

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Teilestatus

Active

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

8-PowerTDFN

Gerätepaket des Lieferanten

PQFN (3x3)

Verlustleistung (max.)

2.8W (Ta)

FET-Typ

P-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

11A (Ta), 24A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10 mOhm @ 11A, 20V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.4V @ 25µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

48nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

1543pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V, 20V

Vgs (Max)

±25V

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