Kaufen Infineon Technologies IRFH3702TR2PBF MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN

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Datenblätter

IRFH3702TR2PBF

MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN

Artikelnummer

IRFH3702TR2PBF

Hersteller/Marke

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Digi-Reel®

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

8-PowerVDFN

Gerätepaket des Lieferanten

8-PQFN (3x3)

Verlustleistung (max.)

2.8W (Ta)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

16A (Ta), 42A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.1 mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.35V @ 25µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

1510pF @ 15V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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