Kaufen Infineon Technologies IRFH3707TR2PBF MOSFET N-CH 30V 12A PQFN33

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Datenblätter

IRFH3707TR2PBF

MOSFET N-CH 30V 12A PQFN33

Artikelnummer

IRFH3707TR2PBF

Hersteller/Marke

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

8-PowerVDFN

Gerätepaket des Lieferanten

8-PQFN (3x3)

Verlustleistung (max.)

2.8W (Ta)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

12A (Ta), 29A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12.4 mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.35V @ 25µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

8.1nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

755pF @ 15V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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