Kaufen Infineon Technologies IRFHE4250DTRPBF MOSFET 2N-CH 25V 86A/303A PQFN

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Datenblätter

IRFHE4250DTRPBF

MOSFET 2N-CH 25V 86A/303A PQFN

Artikelnummer

IRFHE4250DTRPBF

Hersteller/Marke

Infineon Technologies

Serie

FASTIRFET™

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Digi-Reel®

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

32-PowerWFQFN

Leistung max

156W

Gerätepaket des Lieferanten

32-PQFN (6x6)

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain-Source-Spannung (Vdss)

25V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

86A, 303A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.75 mOhm @ 27A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.1V @ 35µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

1735pF @ 13V

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