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IRFH7188TRPBF

MOSFET N-CH 100V 18A

Artikelnummer

IRFH7188TRPBF

Hersteller/Marke

Infineon Technologies

Serie

FASTIRFET™, HEXFET®

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

8-PowerTDFN

Gerätepaket des Lieferanten

PQFN (5x6)

Verlustleistung (max.)

3.8W (Ta), 132W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

18A (Ta), 105A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6 mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.9V @ 150µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

2116pF @ 50V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±20V

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