Kaufen Infineon Technologies IRFH4255DTRPBF MOSFET 2N-CH 25V 64A/105A PQFN

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Datenblätter

IRFH4255DTRPBF

MOSFET 2N-CH 25V 64A/105A PQFN

Artikelnummer

IRFH4255DTRPBF

Hersteller/Marke

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Digi-Reel®

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

8-PowerVDFN

Leistung max

31W, 38W

Gerätepaket des Lieferanten

PQFN (5x6)

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain-Source-Spannung (Vdss)

25V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

64A, 105A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.2 mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.1V @ 35µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

1314pF @ 13V

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