Kaufen Infineon Technologies IRF6710S2TR1PBF MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET

Das Bild kann eine Darstellung sein.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.

Weitere Informationen anzeigen Datenblätter

IRF6710S2TR1PBF

MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET

Artikelnummer

IRF6710S2TR1PBF

Hersteller/Marke

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

DirectFET™ Isometric S1

Gerätepaket des Lieferanten

DIRECTFET S1

Verlustleistung (max.)

1.8W (Ta), 15W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

25V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

12A (Ta), 37A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.9 mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.4V @ 25µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

1190pF @ 13V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

Angebot anfordern

Bitte füllen Sie alle erforderlichen Felder aus und klicken Sie auf „SENDEN“. Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden per E-Mail kontaktieren. Wenn Sie ein Problem haben, hinterlassen Sie bitte eine Nachricht oder senden Sie eine E-Mail an [email protected], wir werden so schnell wie möglich antworten.

Auf Lager 23043 PCS

Kontaktinformationen