Kaufen Infineon Technologies IRF60B217 MOSFET N-CH 60V 60A

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IRF60B217

MOSFET N-CH 60V 60A

Artikelnummer

IRF60B217

Hersteller/Marke

Infineon Technologies

Serie

StrongIRFET™

Teilestatus

Active

Verpackung

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart

Through Hole

Paket/Koffer

TO-220-3

Gerätepaket des Lieferanten

TO-220AB

Verlustleistung (max.)

83W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

60A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9 mOhm @ 36A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.7V @ 50µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

66nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

2230pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

6V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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