Kaufen Infineon Technologies IRF60DM206 MOSFET N-CH 60V 130A

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Datenblätter

IRF60DM206

MOSFET N-CH 60V 130A

Artikelnummer

IRF60DM206

Hersteller/Marke

Infineon Technologies

Serie

StrongIRFET™

Teilestatus

Active

Verpackung

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

DirectFET™ Isometric ME

Gerätepaket des Lieferanten

DirectFET™ Isometric ME

Verlustleistung (max.)

96W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

130A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.9 mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.7V @ 150µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

200nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

6530pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

6V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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