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IRF6674TR1PBF

MOSFET N-CH 60V 13.4A DIRECTFET

Artikelnummer

IRF6674TR1PBF

Hersteller/Marke

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

DirectFET™ Isometric MZ

Gerätepaket des Lieferanten

DIRECTFET™ MZ

Verlustleistung (max.)

3.6W (Ta), 89W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

13.4A (Ta), 67A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11 mOhm @ 13.4A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.9V @ 100µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

36nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

1350pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±20V

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