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IPB35N10S3L26ATMA1

MOSFET N-CH TO263-3

Artikelnummer

IPB35N10S3L26ATMA1

Hersteller/Marke

Infineon Technologies

Serie

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

Teilestatus

Active

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Gerätepaket des Lieferanten

D²PAK (TO-263AB)

Verlustleistung (max.)

71W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

35A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

26.3 mOhm @ 35A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.4V @ 39µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

39nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

2700pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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