Kaufen Infineon Technologies IPB320N20N3GATMA1 MOSFET N-CH 200V 34A TO263-3

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Datenblätter

IPB320N20N3GATMA1

MOSFET N-CH 200V 34A TO263-3

Artikelnummer

IPB320N20N3GATMA1

Hersteller/Marke

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Teilestatus

Active

Verpackung

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Gerätepaket des Lieferanten

D²PAK (TO-263AB)

Verlustleistung (max.)

136W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

200V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

34A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

32 mOhm @ 34A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 90µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

29nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

2350pF @ 100V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±20V

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