Kaufen GeneSiC Semiconductor MBR200200CTR DIODE SCHOTTKY 200V 100A 2 TOWER

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MBR200200CTR

DIODE SCHOTTKY 200V 100A 2 TOWER

Artikelnummer

MBR200200CTR

Hersteller/Marke

GeneSiC Semiconductor

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Bulk

Befestigungsart

Chassis Mount

Paket/Koffer

Twin Tower

Gerätepaket des Lieferanten

Twin Tower

Diodentyp

Schottky

Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If

920mV @ 100A

Strom – Rückwärtsleckage bei Vr

3mA @ 200V

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Anode

Spannung – DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

100A

Geschwindigkeit

Fast Recovery = 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

Betriebstemperatur – Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

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