Kaufen GeneSiC Semiconductor MBR200100CT DIODE MODULE 100V 200A 2TOWER

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MBR200100CT

DIODE MODULE 100V 200A 2TOWER

Artikelnummer

MBR200100CT

Hersteller/Marke

GeneSiC Semiconductor

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Bulk

Befestigungsart

Chassis Mount

Paket/Koffer

Twin Tower

Gerätepaket des Lieferanten

Twin Tower

Diodentyp

Schottky

Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If

840mV @ 100A

Strom – Rückwärtsleckage bei Vr

5mA @ 20V

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Spannung – DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

200A (DC)

Geschwindigkeit

Fast Recovery = 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

Betriebstemperatur – Verbindungsstelle

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