Kaufen GeneSiC Semiconductor GA50JT17-247 TRANS SJT 1.7KV 100A

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GA50JT17-247

TRANS SJT 1.7KV 100A

Artikelnummer

GA50JT17-247

Hersteller/Marke

GeneSiC Semiconductor

Serie

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Tube

Technologie

SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Befestigungsart

Through Hole

Paket/Koffer

TO-247-3

Gerätepaket des Lieferanten

TO-247

Verlustleistung (max.)

583W (Tc)

FET-Typ

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

1700V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

100A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25 mOhm @ 50A

Vgs(th) (Max) @ Id

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

Vgs (Max)

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