Kaufen GeneSiC Semiconductor GA50JT06-258 TRANS SJT 600V 100A

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GA50JT06-258

TRANS SJT 600V 100A

Artikelnummer

GA50JT06-258

Hersteller/Marke

GeneSiC Semiconductor

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Bulk

Technologie

SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 225°C (TJ)

Befestigungsart

Through Hole

Paket/Koffer

TO-258-3, TO-258AA

Gerätepaket des Lieferanten

TO-258

Verlustleistung (max.)

769W (Tc)

FET-Typ

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

600V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

100A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25 mOhm @ 50A

Vgs(th) (Max) @ Id

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

Vgs (Max)

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