Das Bild kann eine Darstellung sein.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.
C3M0280090J-TR
MOSFET N-CH 900V 11A
Artikelnummer
C3M0280090J-TR
Hersteller/Marke
Serie
C3M™
Teilestatus
Active
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Gerätepaket des Lieferanten
D2PAK-7
Verlustleistung (max.)
50W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
900V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
360 mOhm @ 7.5A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 1.2mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
9.5nC @ 15V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
150pF @ 600V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
15V
Vgs (Max)
+18V, -8V
Angebot anfordern
Bitte füllen Sie alle erforderlichen Felder aus und klicken Sie auf „SENDEN“. Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden per E-Mail kontaktieren. Wenn Sie ein Problem haben, hinterlassen Sie bitte eine Nachricht oder senden Sie eine E-Mail an [email protected], wir werden so schnell wie möglich antworten.
Auf Lager 36200 PCS
Kontaktinformationen
Verwandte Produkte
Schlüsselwörter von C3M0280090J-TR
C3M0280090J-TR Elektronische Komponenten
C3M0280090J-TR Verkäufe
C3M0280090J-TR Anbieter
C3M0280090J-TR Verteiler
C3M0280090J-TR Datentabelle
C3M0280090J-TR Fotos
C3M0280090J-TR Preis
C3M0280090J-TR Angebot
C3M0280090J-TR Geringster Preis
C3M0280090J-TR Suchen
C3M0280090J-TR Einkauf
C3M0280090J-TR Chip