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C3M0030090K

C3M0030090K

ZFET 900V, 30 MOHM, G3 SIC MOSFE
Artikelnummer
C3M0030090K
Hersteller/Marke
Serie
C3M™
Teilestatus
Active
Verpackung
-
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Paket/Koffer
TO-247-4
Gerätepaket des Lieferanten
TO-247-4L
Verlustleistung (max.)
149W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
900V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
39 mOhm @ 35A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 11mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
87nC @ 15V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
1864pF @ 600V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
15V
Vgs (Max)
+15V, -4V
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