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C3M0065100J-TR
1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET
Artikelnummer
C3M0065100J-TR
Hersteller/Marke
Serie
C3M™
Teilestatus
Active
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Gerätepaket des Lieferanten
TO-263-7
Verlustleistung (max.)
113.5W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1000V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
78 mOhm @ 20A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 5mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 15V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
660pF @ 600V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
15V
Vgs (Max)
+15V, -4V
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