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AGM-Semi (core control source)

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AGM4025Q

Artikelnummer

AGM4025Q

Kategorie

Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)

Hersteller/Marke

AGM-Semi (core control source)

Kapselung

PDFN5x6

Verpackung

taping

Anzahl der Pakete

3000

Beschreibung

Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 40V Continuous Drain Current (Id): 110A Power (Pd): 73.5W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id: 2.2mΩ@10V, 20A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.7V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 22.7nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 1.90nF@20V , Vds=40v Id=110A Rds=2.2mΩ, Working temperature: -55℃~+150℃@(Tj)

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