AGM-Semi (core control source)
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AGM401A N-channel 40V 200A 0.86mΩ

AGM401A

N-channel 40V 200A 0.86mΩ
Artikelnummer
AGM401A
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Hersteller/Marke
AGM-Semi (core control source)
Kapselung
PDFN(5x6)
Verpackung
taping
Anzahl der Pakete
3000
Beschreibung
Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 40V Continuous Drain Current (Id): 200A Power (Pd): 92.6W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 0.86mΩ@10V,50A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.6V@250uA Gate Charge (Qg@Vgs): 115nC@10V Input Capacitance (Ciss@Vds): 7.5nF@20V Operating Temperature: -55℃~+150℃@( Tj) DFN5*6encapsulation;
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