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W947D2HBJX5E

W947D2HBJX5E

IC SDRAM 128MBIT 200MHZ 90TFBGA
Artikelnummer
W947D2HBJX5E
Hersteller/Marke
Serie
-
Teilestatus
Active
Verpackung
Tray
Technologie
SDRAM - Mobile LPDDR
Betriebstemperatur
-25°C ~ 85°C (TC)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
90-TFBGA
Gerätepaket des Lieferanten
90-VFBGA (8x13)
Spannungsversorgung
1.7 V ~ 1.95 V
Speichertyp
Volatile
Speichergröße
128Mb (4M x 32)
Zugriffszeit
5ns
Taktfrequenz
200MHz
Speicherformat
DRAM
Schreibzykluszeit – Wort, Seite
15ns
Speicherschnittstelle
Parallel
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