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SUP60N10-18P-E3

MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB

Artikelnummer

SUP60N10-18P-E3

Hersteller/Marke

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart

Through Hole

Paket/Koffer

TO-220-3

Gerätepaket des Lieferanten

TO-220AB

Verlustleistung (max.)

3.75W (Ta), 150W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

60A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

18.3 mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

75nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

2600pF @ 50V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

8V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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