Kaufen Vishay Siliconix SUM60030E-GE3 MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK

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Datenblätter

SUM60030E-GE3

MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK

Artikelnummer

SUM60030E-GE3

Hersteller/Marke

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Teilestatus

Active

Verpackung

Digi-Reel®

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Gerätepaket des Lieferanten

TO-263 (D2Pak)

Verlustleistung (max.)

375W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

80V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

120A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.2 mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

141nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

7910pF @ 40V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

7.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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