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SUD20N10-66L-GE3

MOSFET N-CH 100V 16.9A TO-252

Artikelnummer

SUD20N10-66L-GE3

Hersteller/Marke

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Teilestatus

Active

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gerätepaket des Lieferanten

TO-252

Verlustleistung (max.)

2.1W (Ta), 41.7W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

16.9A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

66 mOhm @ 6.6A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

860pF @ 50V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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