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SUD19P06-60-E3

SUD19P06-60-E3

MOSFET P-CH 60V 18.3A TO252
Artikelnummer
SUD19P06-60-E3
Hersteller/Marke
Serie
TrenchFET®
Teilestatus
Active
Verpackung
Cut Tape (CT)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gerätepaket des Lieferanten
TO-252, (D-Pak)
Verlustleistung (max.)
2.3W (Ta), 38.5W (Tc)
FET-Typ
P-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
18.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
60 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
40nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
1710pF @ 25V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
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