Kaufen Vishay Siliconix SUD17N25-165-E3 MOSFET N-CH 250V 17A TO252

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Datenblätter

SUD17N25-165-E3

MOSFET N-CH 250V 17A TO252

Artikelnummer

SUD17N25-165-E3

Hersteller/Marke

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gerätepaket des Lieferanten

TO-252, (D-Pak)

Verlustleistung (max.)

3W (Ta), 136W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

250V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

17A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

165 mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

42nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

1950pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±20V

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