Kaufen Vishay Siliconix SQJ912AEP-T1_GE3 MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO-8

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Datenblätter

SQJ912AEP-T1_GE3

MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO-8

Artikelnummer

SQJ912AEP-T1_GE3

Hersteller/Marke

Vishay Siliconix

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Teilestatus

Active

Verpackung

Cut Tape (CT)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

PowerPAK® SO-8 Dual

Leistung max

48W

Gerätepaket des Lieferanten

PowerPAK® SO-8 Dual

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain-Source-Spannung (Vdss)

40V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

30A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.3 mOhm @ 9.7A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

38nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

1835pF @ 20V

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