Kaufen Vishay Siliconix SQJ858AEP-T1_GE3 MOSFET N-CH 40V 58A

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Datenblätter

SQJ858AEP-T1_GE3

MOSFET N-CH 40V 58A

Artikelnummer

SQJ858AEP-T1_GE3

Hersteller/Marke

Vishay Siliconix

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Teilestatus

Active

Verpackung

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

PowerPAK® SO-8

Gerätepaket des Lieferanten

PowerPAK® SO-8

Verlustleistung (max.)

48W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

40V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

58A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.3 mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

55nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

2450pF @ 20V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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