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SQD25N15-52_GE3

MOSFET N-CH 150V 25A TO252

Artikelnummer

SQD25N15-52_GE3

Hersteller/Marke

Vishay Siliconix

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Teilestatus

Active

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gerätepaket des Lieferanten

TO-252, (D-Pak)

Verlustleistung (max.)

107W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

150V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

25A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

52 mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

51nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

2200pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±20V

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