Kaufen Vishay Siliconix SQD100N02-3M5L_GE3 MOSFET N-CH 20V 100A TO252AA

Das Bild kann eine Darstellung sein.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.

Weitere Informationen anzeigen Datenblätter

SQD100N02-3M5L_GE3

MOSFET N-CH 20V 100A TO252AA

Artikelnummer

SQD100N02-3M5L_GE3

Hersteller/Marke

Vishay Siliconix

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Teilestatus

Active

Verpackung

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gerätepaket des Lieferanten

TO-252AA

Verlustleistung (max.)

83W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

100A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.5 mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

110nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

5500pF @ 10V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

Angebot anfordern

Bitte füllen Sie alle erforderlichen Felder aus und klicken Sie auf „SENDEN“. Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden per E-Mail kontaktieren. Wenn Sie ein Problem haben, hinterlassen Sie bitte eine Nachricht oder senden Sie eine E-Mail an [email protected], wir werden so schnell wie möglich antworten.

Auf Lager 10258 PCS

Kontaktinformationen

Verwandte Produkte

SQD100N02-3M5L_GE3

MOSFET N-CH 20V 100A TO252AA