Kaufen Vishay Siliconix SQ9945BEY-T1_GE3 MOSFET 2N-CH 60V 5.4A

China
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Datenblätter

SQ9945BEY-T1_GE3

MOSFET 2N-CH 60V 5.4A

Artikelnummer

SQ9945BEY-T1_GE3

Hersteller/Marke

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Teilestatus

Active

Verpackung

Digi-Reel®

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Leistung max

Gerätepaket des Lieferanten

8-SO

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

5.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

64 mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

470pF @ 25V

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