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SQ7415AENW-T1_GE3

SQ7415AENW-T1_GE3

MOSFET P-CH 60V 16A POWERPAK1212
Artikelnummer
SQ7415AENW-T1_GE3
Hersteller/Marke
Serie
-
Teilestatus
Active
Verpackung
Cut Tape (CT)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
PowerPAK® 1212-8
Gerätepaket des Lieferanten
PowerPAK® 1212-8
Verlustleistung (max.)
53W (Tc)
FET-Typ
P-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
65 mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
38nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
1385pF @ 25V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
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