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SQ2389ES-T1_GE3

SQ2389ES-T1_GE3

MOSFET P-CHAN 40V SO23
Artikelnummer
SQ2389ES-T1_GE3
Hersteller/Marke
Serie
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Teilestatus
Active
Verpackung
Digi-Reel®
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket des Lieferanten
SOT-23-3 (TO-236)
Verlustleistung (max.)
3W (Tc)
FET-Typ
P-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
40V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
94 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
420pF @ 20V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
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