Kaufen Vishay Siliconix SQ2303ES-T1_GE3 MOSFET P-CHAN 30V SOT23

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Datenblätter

SQ2303ES-T1_GE3

MOSFET P-CHAN 30V SOT23

Artikelnummer

SQ2303ES-T1_GE3

Hersteller/Marke

Vishay Siliconix

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Teilestatus

Active

Verpackung

Digi-Reel®

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Gerätepaket des Lieferanten

TO-236 (SOT-23)

Verlustleistung (max.)

1.9W (Tc)

FET-Typ

P-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

2.5A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

170 mOhm @ 1.8A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

6.8nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

210pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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